Hynix Synchronous DRAM مناسب برای کاربرانی است که از اپلیکیشن هایی با سرعت بالایی استفاده میکنند و یا نیاز به پهنای باند زیادی دارند . دسترسی با ارسال فرمان
Active شروع میشود و در ادامه با دستور
Read یا
Write همراه است. بیت های آدرس همزمان با دستور
ACTIVE برای انتخاب بانک و ردیف مورد استفاده قرار می گیرند و بیت های آدرس ثبت شده همزمان با دستور
READ یا
WRITE برای انتخاب بانک و ستون شروع برای دسترسی
Burst استفاده میشود.
ویژگی ها:
- پروتکل SDRAM استاندارد
- عملیات داخلی 4 بانک
- ولتاژ منبع تغذیه: VDD = 3.3V، VDDQ = 3.3V
- تمام پین های دستگاه با رابط LVTTL سازگار هستند
- رابط ولتاژ پایین برای کاهش توان I / O
- دارای 8192 سیکل رفرش
- دارای 2-3 سیکل تاخیر
- CAS فرکانس کلاک: 166-133 یا 200 مگا هرتز